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想要去跟TFT Array工艺大神交流,一定要先看这篇文章

编辑:liuchang 2018-05-07 08:53 浏览 评论 评论 0 赞    来源:  中华显示网

  1、G工程

  成膜工程——G层Sputter (AL-Nb, Mo-Nd)

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PR曝光工程——G-Mask PR曝光

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刻蚀工程——G层湿刻

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剥离

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2、D/I工程

  成膜工程——PCVD (SiNx)

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成膜工程——PCVD (3层CVD)

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成膜工程——D层 Sputter (Cr)

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PR曝光工程——D-Mask PR曝光

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刻蚀工程——D层湿刻1

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Island干刻

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D层湿刻2

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Channel干刻

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剥离工程——剥离

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3、C工程

  成膜工程——PECVD (SiNx)

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PR曝光工程——C-Mask PR曝光

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刻蚀工程——Contact Hole干刻

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剥离

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4、PI工程

  成膜工程——Sputter (ITO)

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PR曝光工程——PI-Mask PR曝光

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刻蚀工程——ITO湿刻

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剥离

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5、ARRAY工艺介绍

  洗净:清洁基板表面,防止成膜不良

  溅射(SPUTTER):成Gate膜、D/S膜和Pixel膜

  PECVD:成a-Si膜和SiNx膜

  PR/曝光:形成与MASK图案相一致的光刻胶图案

  湿刻(WE):刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜

  干刻(DE):刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜

  剥离:去掉残余的光刻胶

  退火:修复晶体损伤,改善晶体性质

  检查修复:监控产品不良,修复不良

  5.1 洗净

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5.2 洗净方法及原理概述

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